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ECH8657
Electrical Characteristics at Ta=25°C
Parameter
Symbol
Conditions
min
Ratings
typ
max
Unit
Drain-to-Source Breakdown Voltage
Zero-Gate Voltage Drain Current
Gate-to-Source Leakage Current
V(BR)DSS
IDSS
IGSS
ID=1mA, VGS=0V
VDS=35V, VGS=0V
VGS=±16V, VDS=0V
35
1
±10
V
μ A
μ A
Cutoff Voltage
Forward Transfer Admittance
VGS(off)
| yfs |
RDS(on)1
VDS=10V, ID=1mA
VDS=10V, ID=2A
ID=2A, VGS=10V
1.2
1.66
45
2.6
59
V
S
m Ω
Static Drain-to-Source On-State Resistance
Input Capacitance
Output Capacitance
Reverse Transfer Capacitance
Turn-ON Delay Time
Rise Time
Turn-OFF Delay Time
Fall Time
Total Gate Charge
Gate-to-Source Charge
Gate-to-Drain “Miller” Charge
Diode Forward Voltage
RDS(on)2
RDS(on)3
Ciss
Coss
Crss
td(on)
tr
td(off)
tf
Qg
Qgs
Qgd
VSD
ID=1A, VGS=4.5V
ID=1A, VGS=4V
VDS=20V, f=1MHz
See speci ? ed Test Circuit.
VDS=20V, VGS=10V, ID=4.5A
IS=4.5A, VGS=0V
85
110
230
37
25
6
11
17
9
4.6
1.0
1.0
0.85
119
155
1.2
m Ω
m Ω
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V
Switching Time Test Circuit
10V
0V
VIN
VIN
VDD=20V
ID=2A
RL=10 Ω
PW=10 μ s
D.C. ≤ 1%
D
VOUT
G
ECH8657
P.G
50 Ω
S
Ordering Information
Device
ECH8657-TL-H
Package
ECH8
Shipping
3,000pcs./reel
memo
Pb Free and Halogen Free
No. A1710-2/7
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